按照《建設項目環(huán)境影響評價信息公開機制方案》（環(huán)發(fā)[2015]162號）文件要求，現(xiàn)將高端半導體芯片掩模版研發(fā)中心項目相關情況公示如下：
項目名稱：高端半導體芯片掩模版研發(fā)中心項目
建設地點：珠海市高新區(qū)金鼎片區(qū)金鼎中路東、金瑞二路北側(cè)
建設單位：珠海市龍圖光罩科技有限公司
項目概況：
項目總投資3320萬元，主要從事65-130nm工藝節(jié)點芯片掩模版及其關鍵技術的研究，并開展掩模版制造技術的基礎與理論研究，進一步提高公司的研發(fā)能力和自主創(chuàng)新能力。
全本公示稿如附件所示：
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提取碼：1234
