按照《建設(shè)項目環(huán)境影響評價信息公開機(jī)制方案》(環(huán)發(fā)[2015]162號)文件要求,現(xiàn)將研發(fā)測試及試驗(yàn)中心建設(shè)項目相關(guān)情況公示如下:
1.項目名稱:研發(fā)測試及試驗(yàn)中心建設(shè)項目
2.建設(shè)地點(diǎn):珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金環(huán)路以北、金園二路西側(cè)自建廠房(珠海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū))
3.建設(shè)單位:珠海市威兆半導(dǎo)體有限公司
4.項目概況:
珠海市威兆半導(dǎo)體有限公司擬投資19654.94萬元于珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金環(huán)路以北、金園二路西側(cè)自建廠房(珠海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū))建設(shè)“研發(fā)測試及試驗(yàn)中心建設(shè)項目”(以下簡稱“本項目”),建設(shè)內(nèi)容主要是集成電路芯片的設(shè)計及優(yōu)化,通過不同類型實(shí)驗(yàn)設(shè)備測試驗(yàn)證芯片設(shè)計方案的可行性。年研發(fā)MOSFET、IGBT、SiCMOS三類芯片合計共10000顆。
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